GIST, 원자수준 차세대 전자소자 특성 제어 방법 개발
상태바
GIST, 원자수준 차세대 전자소자 특성 제어 방법 개발
  • 첨단넷
  • 승인 2021.10.22 08:00
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

GIST, 원자수준 차세대 전자소자 특성 제어 방법 개발
방사광 가속기를 활용한 물질의 깊이에 따른 표면 정보 변화 관찰.
방사광 가속기를 활용한 물질의 깊이에 따른 표면 정보 변화 관찰.

광주과학기술원(GIST·총장 김기선)은 문봉진 물리·광과학과 교수팀이 이종접합 복합 산화물 기판의 전자·화학·구조적 상태 변화를 실시간으로 관찰하는 데 성공했다고 22일 밝혔다.

연구팀은 고온의 산소 환경에 노출된 티탄산 스트론튬 기판의 표면에서 화학 조성 변화 및 공간전하층 형성과 에너지 밴드의 휘어짐을 방사광가속기 기반 상압광전자분광기를 이용해 관찰했다.

이종접합 복합 산화물은 서로 다른 특성을 가진 산화물들을 겹겹이 쌓아 제작한 물질로 구성 물질이 경계면을 통해 상호 작용하여 우수한 전기, 자기, 열, 역학적 기능성을 구현하는 구조이다. 차세대 전자소자 개발에서 화두인 거대자기저항, 금속-절연체 전이, 고온 초전도체, 2차원 전자가스 등은 모두 이종접합 복합 산화물 구조상에서 구현된다. 하지만 이러한 기능성의 발현 원리와 작동 메커니즘은 아직 명확히 규명되지 않았다.

기능성 산화물을 성장시키는 온도·압력 조건에서 기판 물질 표면 화학·전기·구조적인 특성 변화가 그 위에 성장하는 기능성 산화물의 성능 결정에 크게 기여하기 때문에 성능 향상을 위한 최적의 성장 조건을 설계하려면 기판의 표면 동역학에 대해 면밀히 파악하는 것이 필수적이다.

문 교수팀은 최외곽 표면이 이산화 타이타늄 층으로 종결된 티탄산 스트론튬 기판의 화학 및 전자구조를 상압광전자분광 챔버 내에서 제자리 분석했다. 챔버 내부의 가스 환경을 초고진공부터 산소 가스 압력 0.1 밀리바(mbar·대기압의 약 만분의 일 수준), 온도 환경을 상온부터 600℃ 범위에서 조절해가며, 티탄산 스트론튬 기판 표면에서의 원자 이동 및 화학 구조 변화에 의한 공간전하층의 형성과 산소 환경의 역할을 실시간으로 확인했다.

문 교수는 “기판의 전자·화학·구조적 상태에 영향을 줄 수 있는 도핑에 의한 효과를 배제해 순수한 티탄산 스트론튬 기판의 표면 공간전하 특성을 밝혀냈다”면서 “이번 연구를 통해 기판과 기능성 물질의 특성 제어 가능성 및 차세대 전자 소재로서의 응용 가능성을 크게 높였다”고 말했다.

이번 연구는 한국연구재단, 지스트 연구원의 지원을 받아 진행됐으며 영국 왕립화학회 저명 학술지인 ‘저널 오브 머터리얼즈 케미스트리 씨’ 표지논문으로 선정돼 지난 14일 게재됐다.

아래 왼쪽부터 시계 반대방향으로 문봉진 교수,임호준 학생, 서민식 학생, 강하빈 학생, 정문정 학생.
아래 왼쪽부터 시계 반대방향으로 문봉진 교수,임호준 학생, 서민식 학생, 강하빈 학생, 정문정 학생.

 


댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.
주요기사
이슈포토